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山西十一选五走势图彩票:LED外延片襯底鍍膜新突破

山西十一选五预测专家 www.rjeuu.com ?????? LED外延片在各電子行業中作為一項高端技術產品重要組成部分之一,山西十一选五预测专家一直備受關注,由圖1中,我們可以看出外延片在LED整個行業中的附加值是非常高的,而且技術都集中在日美這些發達國家中,可見其技術含量是非常高的,面對市場的需求,東莞市匯成真空科技有限公司研發部門在LED外延片襯底鍍膜中引進PVD技術獲得重大的突破。

LED外延片


LED外延片工藝流程如下:
襯底 - 結構設計 - 緩沖層生長 - N型GaN層生長 - 多量子阱發光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測(光熒光、X射線) - 外延片
外延片- 設計、加工掩模版 - 光刻 - 離子刻蝕 - N型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - P型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - 劃片 - 芯片分檢、分級

LED芯片


?????? 目前市場上大部分廠家對山西十一选五预测专家環節中主要使用的還是CVD技術(化學氣相沉積技術)制作山西十一选五预测专家(ALN),由CVD生成的ALN薄膜均勻性不穩定,容易受影響在表面形成很多的黑點,CVD技術鍍氮化鋁需要在將近1000℃的高溫條件下工作,因為氮化鋁薄膜在500℃以下是不能合成的,一般在緩沖層的溫度就達到600~870℃,工作5分鐘左右,在高溫層的溫度達到1000℃,工作60分鐘,生成LED外延片襯底的ALN薄膜,工作時間是非常長的,另外通過CVD生成ALN薄膜所使用的襯底材料具有很大的局限性。
?????? 為了解決這一系列在LED外延片襯底鍍膜中由CVD技術產生的缺點,東莞市匯成真空科技有限公司研發出用PVD技術(物理氣相沉積技術)代替CVD技術,放寬了襯底材料的選擇空間,大大提高了薄膜的均勻性,縮短ALN薄膜生成時間,由原來的1~2小時一爐變成幾十分鐘一爐,大大提高薄膜生成的產量。
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LED外延片氮化鋁薄膜


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